硅基体的金属钼反冲注入
Recoil implantation of molybdenum into silicon作者机构：中国科学院上海原子核研究所
出 版 物：《核技术》 (Nuclear Techniques)
年 卷 期：1984年第1期
页 面：55-56页
学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
主 题：离子束混合
摘 要：在某基体的表面,真空蒸镀一层其它材料的薄膜,用离子轰击时将引起原子级联碰撞而导致基体原子和薄层原子的混合,特别是在界面区域的混合。所谓反冲注入是指薄层原子在此过程中进入基体的现象。目前,离子束混合已开始应用到半导体器件及金属等材料改性的领域中。
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