作 者:汤子康 范希武
作者机构:中国科学院长春物理研究所
出 版 物:《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)
年 卷 期:1985年第4期
页 面:314-321页
主 题:气相外延 外延层 单晶薄膜 电致发光 场致发光 ZnSe
摘 要:本文在300℃—700℃温度范围内,在GaAs衬底上气相外延生长了ZnSe单晶薄膜。讨论了衬底温度对外延层电学性质及光学特性的影响。ZnSe外延层经Zn气氛热处理后,发光特性大为改善。用处理后的ZnSe外延膜做成MIS发光二极管,首次得到了室温下气相外延ZnSe单晶薄膜的蓝色电致发光。