用剥离光刻制作小面积Pb合金薄膜隧道结
作者机构：北京大学物理系 北京大学计算机科学技术系
出 版 物：《低温与超导》 (Cryogenics & Superconductivity)
年 卷 期：1985年第1期
页 面：30-34页
主 题：光刻胶 小面积 光致抗蚀剂 辅料 隧道结 半导体结 临界电流密度 合金薄膜 Pb
摘 要：本文报导了用剥离光刻的方法制作小面积Pb-In和Pb-In-Au合金隧道结的实验结果,使用AZ-1350J光刻胶,采取适当的光刻步骤,图形线宽可以作到1-2μm,结面积最小为2μm;。用直流辉光放电氧化或射频氧化制作成的Pb合金隧道结,临界电流密度最大为10;A/cm;。160个串联Pb-In合金隧道结（结面积为10×10μm;）在室温—4.2K之间热循环3次后,结无一损坏。Pb-In-Au合金隧道结（结面积为2μm;）经过18次室温和4.2K之间的热循环和在室温下保存90天之后,结的特征没有明显变化。
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