GaAs电学参数温度性质的研究
Study of Temperature Properties of Electrical Parameters of GaAs作者机构：厦门大学物理系 厦门 361005
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报(英文版))
年 卷 期：1993年第14卷第5期
页 面：304-312页
核心收录：
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
基 金：国家自然科学基金
摘 要：本文用表面光伏方法和计算机拟合技术,在21—320K温度范围内得到N-GaAs的重要电学参数L;、μ;、n;、S和V;的温度关系曲线。通过对这些温度关系曲线的理论分析和拟合计算,进一步得到样品的施主杂质浓度N;、杂质电离能ε;、基态简并度g;和杂质补偿度K;的数值,少子迁移率μ;（T）的经验公式和表面费米能级E;的温度关系曲线。文中还推导了有关的理论公式。
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