XPS研究氧在GaAs(111)面的吸附
XPS Study of Oxygen Adsorption on GaAs （111） Surface作者机构：复旦大学现代物理研究所
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报(英文版))
年 卷 期：1984年第2期
页 面：162-170页
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：有序程度 吸附氧 GaAs 粘附系数 原子面 氧吸附 暴露量 XPS
摘 要：用探测在MgK;和 AlK;X光源激发下掠角发射的As 2p、GaZP、Ca3d和Ols光电子的办法,提高了XPS表面分析的灵敏度,从而研究了 GaAs（111）面在吸附氧过程中表面 Ga、As和O的变化情形.发现吸附一开始时氧同表面Ga原子成键,随后氧再同As原子成键.吸附引起As2p强度的减弱,而没有看到有Ga减少的现象.在400℃以下加热退火,可以使As-O键消失,但Ga-O 键依然存在,后者只有在550℃退火才会去除.经过氧吸附并550℃退火后,（2×2）LEED图样比吸附氧以前更为清晰,氧在表面的初始粘附系数减小,说明表面有序程度提高.从氧吸附并退火后表面As/Ga比的增大,推测是由于这一处理部分地消除了原先表面所存在的Ga岛.
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