1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器
1.3μm InGaAsP/InP Double-Channal Planar Buried Heterostructure Lasers作者机构：武汉邮电科学研究院
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报(英文版))
年 卷 期：1986年第3期
页 面：324-326页
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：激光器 DC 光激射器 电子器件 InGaAsP/InP 阈值电流 双沟道
摘 要：用过冷法两次液相外延生长制作了波长 1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器(DC-PBHLD).室温最低阈值电流15mA,典型值20mA;最高连续工作温度80℃,输出光功率2mW.4倍阈值电流时,仍可得到稳定的单纵模输出.
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