生长参数对砷化镓汽相外延的影响
出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)
年 卷 期：1978年第2期
页 面：67-74页
主 题：晶面 分压 生长温度 面(晶体) 晶种 过饱和度 生长速率 淀积 生长机理 三氯化砷 氯化物 生长参数 砷化镓 砷化物
摘 要：通过测量生长速率与几个在宽阔范围内变化的生长参数的关系,来研究以三氯化砷输运方法进行的砷化镓汽相生长。研究了源的过饱和度、淀积温度和进入系统的三氯化砷分压的影响。生长实验主要是在(100)晶面上做的,在(110)晶面上也做了一些实验。实验数据可估价在非通常条件下(即:低温、低过饱和度以及宽阔范围的三氯化砷分压)生长的可能性。在这些条件下,以很高的生长速率获得了纯的材料。所有实验结果都能用包括表面吸附层的动力学控制的生长机理做定性说明。
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