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功率MOSFET——八十年代的动力

作者：Duncan Grant,Allan Tregidga,喻淑伦

作者机构：国际整流器公司国际整流器公司

出版物：《微电子学》 (Microelectronics)

年卷期：1987年第5期

页面：83-88+82页

主　　题：MOSFET 器件晶体管半导体三极管导通电阻八十年代

摘要：采用垂直电流器件和使用多晶硅作栅材料,在制作功率MOSFET实用器件中起着重要的作用。随着导通电阻的降低,单元密度显著地增加。在分立晶体管元件市场,高性能的和具有价格竞争能力的MOSFET正成功地向占优势的双极器件挑战。

本地馆藏 |

1、借阅数量：每证可借书6册，期刊2册，团体读者证可借书刊300册。 2、借阅时间：个人借期为30天，每本书可续借1次，借期为30天；团体借期为90天。 3、归还地点：3楼服务台、自助借还设备、还书箱、各分馆 4、馆际互借：读者未能在本馆获取所需文献资料，可至参考咨询阅览室服务台填写《南通市图书馆馆际互借读者申请表》，根据馆际互借协议，我馆将为读者向其他馆代借文献。馆际互借过程中所产生的费用（资料复印、邮寄费等），由读者个人承担。 5、服务电话续借：59003605 59003606 咨询：81100100 59003600

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