功率MOSFET的优化设计
作者机构：仙童公司
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：1986年第6期
页 面：36-45页
主 题：MOSFET 六角形 网格状 细颈 单元面积 导通电阻 优化设计
摘 要：我们提出了一种垂直双扩散功率MOS（VDMOS）晶体管的导通电阻模型,着重于讨论单元版图的优化设计和验证实验数据。采用六种不同的网格状单元图形（包括正方形单元和六角形单元）中的任何一种结构,基本上都能得到同样的最小导通电阻Rono特别是当各单元的p阱宽度相同且阱的面积与单元面积之比也相同时,各种网格状单元图形的导通电阻差不多是完全相同的。除非通过巧妙的设计使条状单元的阱的宽度比网格状单元的小1.6倍,否则在一般情况下,网格状单元的Ron比条状的低,我们用设计例子和实验来说明简单的优化步骤,首先选择与生产工艺相适应的最小的p阱宽度和深度,然后找出p阱间的最佳间隔距离。
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