掺硅的砷化镓体晶体的若干特性
SOME CHARACTERISTICS OF Si-DOPED GaAs BULK CRYSTALS作者机构：中国科学院上海冶金研究所
出 版 物：《应用科学学报》 (Journal of Applied Sciences)
年 卷 期：1985年第1期
页 面：38-45页
主 题：载流子浓度 St 载流子密度 单晶生长 GaAs 少子扩散长度 补偿比 位错密度 晶体 电子迁移率 电导率 衬底材料
摘 要：近年来,对砷化镓光电器件的研究结果表明,用作衬底的砷化镓晶体,以掺Si材料为佳.与掺Te和掺Sn的相比,它的发光输出量大,晶体完整性较好,因而受到广泛的重视.目前对掺Si晶体的研究,在研制无位错单晶生长的同时,对晶体的性质和微结构也进行了不少的工作.但对掺Si后的晶体中,由于杂质及缺陷的相互作用而引起晶体特性的变化,尚未见有系统的报道.
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