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硅的加工畸变(切割、研磨、抛光)

作     者：佐藤升 王长河 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：1974年第10期

页      面：28-34页

主　　题：检出 弹性 晶体 加工面 射线衍射 裂纹层 力学性能 电子衍射法 

摘      要：在硅片的制造工序中,通常要进行切割、研磨、抛光等加工,因此在硅片表面将形成畸变层。此加工畸变层对制成的器件之特性有很大的影响,这将成为元件制造中产生晶体缺陷的来源,迫切要求减小加工畸变的各种试验已被进行过,曾用电学、

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