GaAs IC中肖特基二极管的模拟模型
出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)
年 卷 期：1986年第6期
页 面：17-22页
主 题：二极管模型 电路模拟 串联电阻 肖特基二极管 硅二极管 肖特基势垒二极管 薄层电阻 正向电流 接触电阻 模拟模型 IC
摘 要：给出了肖特基势垒二极管的电路模拟模型,该模型能够精确地复制二极管的正向I-V特性。这是通过将通常在乎面肖特基势垒二极管中观察到的非线性(与电流有关)串联电阻包括进去而得到的。这种二极管模型是以大信号瞬态和需要精确解的Dc偏压分析为主要目的的,模型的显著特点是:(a)有来自直接测量或是几何及工艺参数的一套容易确定的参数,(b)在恒定电阻二极管模型上仅需要一个附加节点,(c)可适用于各种各样尺寸的二极管。最后,给出一个例子表明模型的精度。
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