关于耦合波导理论的边界条件

作     者：黄宏嘉 

作者机构：上海光机所 

出 版 物：《中国科学技术大学学报》 (Journal of University of Science and Technology of China)

年 卷 期：1976年第Z1期

页      面：203-207页

主　　题：边界条件 藕合 分量 槽口 电爆 耦合波导 电容系数 

摘      要：在1973年2期的《中国科学技术大学学报》上发表了吴志元同志的文章“对耦合波导理论内边界条件的修正[文1];他认为[文2]中的边界条件包含有错误,于是引入不均匀系数K,用以代替原来边界条件中的电容系数C。本文的目的是指出以下几点:(1)耦合波导理论中的边界条件只是在厚槽即δ《σ《λg的条件下才成立。[文1]认为薄缝和厚槽的情形一样,都可当作只包Hz和Eφ两个埸分量的局部准稳埸来处理,这在概念上是错误的,它忽视了这种做法的前提。(2) [文1]计算了槽缝的中心线上开口处和内部电埸的比值Eφ/Eφ(或1/K)。实际上,当接近槽口的两端时,(?)/(?)→∞!(K→0 !).因而,考虑到埸沿δ方向的变化,[文1]的主要结果(1≤K≤1.288)是错误的。(3)由于埸沿δ变化,耦合波导边界条件中所包含的埸分量(Hz,Eφ)仅在平均的概念下才是有意义的。这就是为什么我们在[文2]中引入了电容系数C。