硅在氧/三氯乙烯气氛中的热氧化
作者机构：西德阿亨工业大学
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：1980年第1期
页 面：42-51页
学科分类：04[教育学]
主 题：氧化速率 CCI 氧化时间 厚度 HCI 氧化气氛 控制气氛 抛物线速率常数 TCE 氯代烃 三氯乙烯 热氧化
摘 要：本文给出了硅在氧/三氯乙烯（TCE）混和物（0～1％）中,在900、1000和1100℃下热氧化的研究结果。通过对只产生Cl2作为反应化合物的O2/CCl4系统的测量,补充了在气相中产生Cl2、H2O和HCl的O2/三氯乙烯系统的测量数据。在1100℃下,当Cl2浓度相同时,TCE和CCl4这二种添加物给出相同的氧化速率,在较低的温度下,O2/TCE系统给出较大的氧化速率。我们试图用线性-抛物线氧化速率方程式,描述这种氧化速率。所得到的有效速率常数与添加物浓度的依赖关系是相当复杂的,从而指出这种反应过程的复杂特点。本文对解释这些数据的机理的某些方面进行了讨论。
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