N型GaAs欧姆接触中各组份对比接触电阻的影响
EFFECT OF COMPONENTS ON THE OHMIC CONTACT RESISTIVITY OF N-TYPE GaAs作者机构：中国科学院上海冶金研究所
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报)
年 卷 期：1980年第2期
页 面：100-106页
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：用类似液相外延的设备,测定了Ga与 As在450℃至 550℃间在 Au-Ge和 Au-Ge-Ni熔体中的溶解度.发现温度升高,Ga与As的溶解度增加,但由于As的逸损,在熔体中 Ga与As的比例也增大.自Au-Ge的共晶组份起,Au含量的提高和Ni的加入均使Ga和As的溶解度增加.自热力学活度角度讨论了溶解度提高的原因.测定了Au-Ge与Au-Ge-Ni(或Fe、Cr、Co)系统的比接触电阻,并结合溶解度的实验和热力学活度的计算进行了讨论.分析了各组份对欧姆接触比接触电阻的影响.
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