正性远紫外抗蚀剂 Ⅱ.聚苯乙烯砜的荧光光谱研究
A POSITIVE DEEP UV PHOTORESIST Ⅱ. A Study of Fluorescence Spectra of Poly (Styrens-Sulfone)作者机构：中国科学院感光化学研究所
出 版 物：《高分子通讯》
年 卷 期：1984年第6期
页 面：414-419页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：荧光光谱 淬灭 聚苯乙烯 聚合塑料 光氧化反应 远紫外 光照 抗蚀剂 正性
摘 要：利用荧光光谱研究了聚苯乙烯砜正性远紫外抗蚀剂薄膜和溶液的光氧化反应。发现聚苯乙烯砜的荧光随光照时间的延长而逐步减少。这一现象和在未辐照的聚苯乙烯砜中加入微量的芳香氢过氧化物或羰基化合物时的情况相同。这表明:聚苯乙烯砜经光照后荧光的淬灭和体系光氧化过程中产生了氢过氧化物或羰基化合物有关。这一方法适宜于对高聚物光氧化初始阶段的研究。
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