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高频工作的扩散外延GaAlAs—GaAs异质结双极晶体管

作     者：D.Ankri 杨宪明 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：1984年第5期

页      面：24-26页

主　　题：异质结双极晶体管 基极 HBT 发射极 GaAlAs GaAs 

摘      要：采用发射区掺杂很低的液相外延作出了GaAlAs-GaAs异质结双极晶体管（HBT）。研究了一种扩散外延结构。I;=10mA时,测出的转移频率接近5GHz,尽管发射极基极的面积较大(SEB～4×10;cm;),在小电流时也获得高的转移频率（I;=1mA时,f;=1.3GHz）。这些数据是目前有关HBT报导中最好的,而且很有希望用于低功率高速逻辑。

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