激光诱发化学气相淀积
“Laser-Induced ChemicalVapor Deposition”出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)
年 卷 期：1988年第2期
页 面：30-36页
主 题：淀积 LCVD 光分解 衬底 施主 分子 分解反应 基片 激光诱发 淀积速率 激光
摘 要：本文回顾了薄膜的激光诱发淀积的进展.原则上,膜的光激活化学气相淀积依据于三大机理.施主分子光分解及随后的反应和凝聚;衬底局部被加热后,随之在这些位置上的热分解;以及在紧靠衬底附近所需物质的激光蒸发.这三种方法都已经用于淀积绝缘的、导电的和半导体的材料.讨论了大面积的和局部的淀积,重点在前者.激光诱发淀积的独特之处在于:工艺温度低、分解产物一定以及空间上有选择地淀积.介绍了在微电子器件制造中以前和将来的应用,考察了激光化学气相淀积在集成电路工艺中应用存在的问题和前景.
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