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研磨对某些无机晶体低温光致发光的影响

作     者:B.P.Chandra ,方宇 

出 版 物:《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期:1983年第3期

页      面:200-202页

主  题:光致发光光谱 nm 晶体 振动峰 低温光致发光 粉体 

摘      要:K2〔Pt(CN)4〕·3H2O,Ba〔Pt(CN)4〕·4H2Q,CdS:Te和Ru(C15H11N3)2I2·H20晶体的光致发光光谱会因研磨而发生展宽和移位。CdS:Te和Ru(C15H11N3)2I2·H2O晶体分别在632nm 和628nm 处的原始电子振动峰因研磨而消失。Ru(C15H11N3)2I2·H2O晶体因研磨而在650nm 处出现一个新的电子振动峰。可得出这样的结论,光致发光光谱的变化是因研磨过程中位错的产生而引起的。

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