原料纯度对VPE ZnSe单晶薄膜发光和电学性能的影响
THE EFFECT OF THE PURITY OF SOURCE MATERIALS ON PHOTOLUMINESCENCE AND ELECTRICAL PROPERTIES OF VPE ZnSe EPILAYERS作者机构：中国科学院长春物理研究所
出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)
年 卷 期：1986年第4期
页 面：349-356页
学科分类：0821[工学-纺织科学与工程] 080702[工学-热能工程] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理]
主 题：外延膜 电阻率 电阻系数 单晶薄膜 电学性能 施主杂质 发光光谱 外延层
摘 要：本文叙述了原料纯度对ZnSe外延膜的发光和电学性能的影响。随原料纯度提高,ZnSe外延膜的电阻率增大,同时PL光谱中与自由激子发射有关的E;带不断增强。这就表明,在我们实验条件下,ZnSe外延层的电导载流子主要来自于原料中施主杂质的污染而不是本征施主,当衬底温度较低时,原料中施主杂质的污染要比衬底中的Ga自扩散重要得多。随着原料纯度的提高,ZnSe外延膜电阻率增加,正是由于原料中施主杂质的减少。
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