采用双生长室方法汽相生长双异质结结构InGaAsP/InP
出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)
年 卷 期：1985年第5期
页 面：35-37页
主 题：InP Ga 异质结 半导体结 激光器 光激射器 电子器件 晶格匹配 衬底 基片 异质界面 光波长 汽相外延
摘 要：采用“双生长室氯化物汽相输运外延技术已研制出异质结InGaAsP/InP。两个独立的生长室,其中一个用来生长InGaAsP,另一个用来生长InP,而它们都连接于一个出口端。衬底是在几秒钟内机械地从一个室传输到另一个室,因而在异质界面不会出现互相沾污的生长,获得了陡峭度小于50 的晶格匹配良好的异质结构界面。用这种技术制备的InGaAsP/InP DH激光器,在室温下CW溅射,发现其阈值相当于液相外延制备的激光器。
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