改善可控硅基本参数的新方法

作     者：Р.Э.АЯЗЯН 谢详生 

出 版 物：《电工技术》 (Electric Engineering)

年 卷 期：1983年第7期

页      面：18-20页

主　　题：分流电路 关断时间 基区 发射区 分流回路 旁通回路 关断过程 

摘      要：采用光刻技术把p-n-p-n结构的低压n;-p发射极的内部分路,作为大量小直径分流电路可以提高可控硅的开关电压U;、du/dt容量、缩短关断时间t;以及改善上述参数的温度稳定性。但是,n;-p结总的传输系数低于某一数值后,就会使直流压降大为增加。因此,可控硅设计时,必须选择一个折中的分路电阻值R;,在一般情况下,总和为R;=R;+R;+R;（1）式中R;为分流电路电阻;R;为分流电路的接触欧姆电阻;R;为可控硅内部区域对流入分流电路电流的有效电阻。研究分流对U;和（du/dt）;的影响时,一般认为阳极电流密度低（断态电流方式）,从而可忽略R;与直流电流密度的关系。可是,在p-n-p-n结构基区的实际电物理参数中分流电阻R;乃随着通过可