一般的按比例缩小理论及其在0.25微米MOSFET设计中的应用(续)
作者机构：IBM Thomas 研究中心
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：1985年第2期
页 面：103-109页
主 题：反型层 电容效应 场效应晶体管 单极晶体管 场效应器件 MOSFET 表面电场 沟道长度 电子迁移率 电导率 栅压 短沟道效应 按比例缩小
摘 要：Ⅳ有限的反型层电容 效应 在进行MOSFET模拟时,一般假定沟道内流动的电荷是随着阈值以上的栅压偏置线性增加的。只要氧化物的厚度比反型层的厚度大得多,并且电源电压根对地大,情况的确是这样的。用理想的恒定电场按比例缩小时,反型层的厚度基本上保持不变,而氧化物厚度要依据按比例缩小因子进行减小。因此,氧化物电容相对反型层电容来说增加了,Ci=-（Q_n/αφs）导致亚线性的沟道电荷变化和跨导降低。
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