单晶硅中硅氢键和氢致缺陷的电子自旋共振研究

作     者：苏昉 C.LEE P.C.TAYLOR SU FANG(Center of Fundamental Physics, University of Science and Technology of China, Hefei)C. LEE P. C. TAYLOR(Department of Physics, University of Utah, U.S.A.)

作者机构：中国科学技术大学基础物理中心 美国犹他大学物理系 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：1988年第7期

页      面：1053-1058页

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 070304[理学-物理化学(含∶化学物理)] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 

主　　题：单晶硅 氢气 工业气体 硅氢键 氢致缺陷 电子顺磁共振 磁共振 电子自旋共振 

摘      要：本文先后用光致发光、核磁共振和电子自旋共振研究了单晶硅中硅氢键和氢致缺陷的性质。光致发光谱表明硅氢键引起了大量非辐射中心。观测和探讨了电子自旋共振测量与样品平均厚度的关系。 本文克服了真空热处理中氢从表面扩散的困难,并避免了样品平均厚度大于1.00mm和小于0.85mm给电子自旋共振带来的困难,测得分别在纯氢气氛和氩气氛生长的单晶硅每立方厘米电子自旋数。对比二者,我们估算出氢的数量为4×1016/cm7,而硅氢键分离激活能约为0.1eV。前者与文献[6]和[10]符合得很好,后者比文献[11]测定的沉淀激活能低一个数量级。