GaAs中杂质-空位络合物在生长无位错单晶中的作用

作     者：莫培根 

作者机构：中国科学院上海冶金研究所 

出 版 物：《稀有金属》 (Chinese Journal of Rare Metals)

年 卷 期：1983年第3期

页      面：11-17页

主　　题：掺杂效应 Sn Zn 载流子浓度 载流子密度 GaAs 位错 晶体缺陷 晶体 络合物 配位化合物 

摘      要：本文从 GaAs 体晶体的补偿比计算得的 D·VGa(杂质-镓空位)浓度,来估计 n 型掺杂晶体的“掺杂效应(通过掺杂降低晶体位错密度)。综合分析已发表的及本所的掺 Si、S、Se、Te 和Sn 晶体的实验数据,结果表明,掺杂效应的有效性与 D·VGa浓度有关。各种杂质形成的 D·VGa对位错密度的影响大致相同,位错密度随 D·VGa的增加而下降,当浓度约达1.5×1018厘米-3(对 Si 为折合后可比的浓度)左右时,可以长成无位错单晶。晶体位错密度与 D·VGa之间具有如下一般的关系:EPD=A-m〔D·VGa〕1/4(A、m 为常数)。D·VGa降低位错的作用可能是它与位错相互作用增强晶体屈服应力所致。此外,从杂质与缺陷相互作用的观点,简单地讨论了 Al,N 和 Zn 的掺杂效应。