LEC法生长不掺杂半绝缘GaAs晶体的研究进展
作者机构：中国科学院上海冶金研究所
出 版 物：《稀有金属》 (Chinese Journal of Rare Metals)
年 卷 期：1983年第4期
页 面：71-79页
主 题：晶体 化学计量比 均匀性 熔体生长 晶体生长 GaAs 半绝缘 LEC
摘 要：本文综合近年 LEC 法生长不掺杂的半绝缘 GaAs 晶体的研究结果,对晶体生长工艺及晶体特性的研究概况作一评述。在晶体生长方面,详细论述了坩埚材料、B2O3的水份及熔体化学计量比对晶体性质的影响,以及影响晶体纯度和完整性的一些因素。在晶体特性方面,阐述了剩余杂质,以及本征结构缺陷引起的深、浅载流子陷阱的性质;进而论述了这些本征缺陷,特别是深能级电子陷阱 EL2,所起的补偿作用,以及对晶体热稳定性和均匀性的影响。
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