集成声表面波/场效应晶体管高速模拟存贮器
作者机构：美·斯坦福大学金兹顿实验室
出 版 物：《压电与声光》 (Piezoelectrics & Acoustooptics)
年 卷 期：1984年第4期
页 面：71-74页
摘 要：本文论证了一种完全单片的缓冲存贮器,它的运转受声表面波和集成多路转换场效应晶体管阵列之间的相互作用的控制。此器件以ZnO/Si声表面波工艺为基础,而场效应晶体管(FET)阵列则用标准的阴性金属-氧化物-半导体工艺制作。实验结果显示了预先存贮在器件中的射频调制波形(f≈100MHz)的低速读出。
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