作 者:钱昆明 林肇华 戴道生 QIAN KUN-MING LIN ZHAO-HUA DAI DAO-SHENG (Department of Physics, Peking University)
作者机构:北京大学物理系 北京大学物理系 北京大学物理系 清华大学物理系
出 版 物:《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期:1983年第12期
页 面:1547-1556页
学科分类:07[理学] 0702[理学-物理学]
主 题:自旋波共振 磁性薄膜 交变场 磁共振 磁性膜 低次模 薄膜样品
摘 要:本文研究了磁性薄膜中的自旋波共振激发现象。在Portis体不均匀(Ⅵ)模型的基础上,提出了非对称体不均匀(AⅥ)模型和表面-体不均匀(s-Ⅵ)模型,很好地解释了实验研究中所观察到的线性自旋波谱,在这些谱中偶奇次模被同时激发,其强度按各自不同的包络线变化。