七种新的SiC六方多型体
SEVEN NEW HEXAGONAL POLYTYPES OF SILICON CARBIDE作者机构:中国科学院
出 版 物:《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期:1965年第1期
页 面:161-170页
主 题:单位晶胞 基本类型 层数 晶胞 倒易点 晶体 六方晶 SiC 密堆积 多型体
摘 要:本文提出了用X射线劳埃法鉴定SiC六方多型体类型的方法。在详细地研究了xH类型与基本类型6H,15R和4H的倒易阵点间相互配置关系的基础上,推导出了这些具体关系,这种关系对于xH—6H来说仅有十二种,对于xH—15R仅有三十种,对于xH—4H仅有八种。上述的点间关系表和推求xH类型单位晶胞密堆积层数的公式同样可以普遍适用于以其他X射线照相法鉴定SiC六方多型体类型的工作中。 用本文所提出的方法研究了许多实验室升华法制备的SiC单晶体以及部分工业SiC晶体。发现了七种六方SiC新多型体141H,80H,58H,55H,15H,9H和7H。新类型的定间羣为C3v1(C3m),六方晶胞c轴参数分别为:355.26,201.57,146.14,138.58,37.794,22.676和17.637 。