用点缺陷产生模型估计InGaAsP-InP和GaAlAs-GaAsDH激光器的寿命
作者机构：日本电报电话公司武藏野电气通信研究所 日本电报电话公司武藏野电气通信研究所 日本电报电话公司武藏野电气通信研究所
出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)
年 卷 期：1980年第3期
页 面：67-74页
主 题：激光器 限制 非辐射复合 光激射器 电子器件 InGaAsP-InP 有源区
摘 要：本文是将远距离结异质结激光器的缺陷模型进行扩展,用它来解释普通双异质结激光器的老化特性。认为激光器的退化主要取决于两种因素:其一是老化前保持在限制层内的可动缺陷在老化过程中朝p-n结运动并积聚在那里,第二是由于注入载流子的非辐射复合在有源区产生了可动缺陷。我们利用这种模型,首次得出InGaAsP-InP激光器的极限寿命比AlGaAs—GaAs激光器长得多。
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