硅胶体中TGS单晶的生长
出 版 物：《红外技术》 (Infrared Technology)
年 卷 期：1983年第3期
页 面：46-48页
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学]
主 题：胶体 晶体 DGS 分散体系 TGS 单晶 晶形 硅胶
摘 要：在室温下,已经从硅胶体中长出了11mm×7mm×3mm的TGS单晶。本文报道了实验技术、晶体成核过程和生长特性以及生长的晶体形态研究。发现当胶体的PH值为2.5或高于2.5时,胶体中只形成TGS晶体。PH在2到2.4之间时,则形成TGS和DGS(硫酸二甘钛)晶体。当胶体的PH值小于2时,在胶体中只形成DGS晶体。
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