高性能高压自对准双扩散横向pnp晶体管
作者机构：日立公司
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：1987年第5期
页 面：19-24页
主 题：晶体管 基区 双扩散 电流分布 半导体三极管 pnp 击穿电压 自对准
摘 要：适用于高压线集成电路的一种新的横向晶体管——自对准双扩散横向（SADDL）晶体管已经开发出来。这种管子具有一个自对准形成的窄的n型基区,以提供高的hFE和高的fT;还有一个可减小电场、提供高的击穿电压BVceo的P-型集电极。业已证明,SADDL晶体管的fT在不降低BVceo的情况下可以得到改进,fT值比已经报道过的其它横向晶体管的高十倍以上。制造出的350V档SADDL晶体管,具有高的hFE（约100）、高的fT（约15MHz）和高的阿莱电压（1000V）。
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