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LEC法GaAs中的Si与液封剂B2O3,H2O间的相互作用

INTERACTION AMONG Si IN LEC GaAs AND B2O3 AND H2O IN THE ENCAPSULANT

作     者:章敏权 邹元爔 方敦辅 ZHANG Minquan;ZOU Yuanxi(Chou Yuanhsi);FANG Dunfu Shanghai Institute of Metallurgy,Academia Sinica

作者机构:中国科学院上海冶金研究所 中国科学院上海冶金研究所 中国科学院上海冶金研究所 中国科学院上海硅酸盐化学与工学研究所 

出 版 物:《金属学报》 (Acta Metallrugica Sinica)

年 卷 期:1985年第21卷第1期

页      面:81-85页

核心收录:

学科分类:1002[医学-临床医学] 100214[医学-肿瘤学] 10[医学] 

主  题:LEC 晶体 B2O3,H2O GaAs 液封 LVM 对数坐标 熔体 电器构件 Si 

摘      要:本文利用文献报道的LEC法GaAs晶体中的Si,B的红外LVM吸收光谱和SIMS分析数据,作出三条lg[Si]-lg[B]直线,其斜率分别接近于4/3,2/3,1/2.本文结合晶体生长的不同工艺条件试用熔体中Si与B2O3,H2O间的相互作用,解释斜率的差异.

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