砷化镓电光调制器
Gallium-Arsenide Electro-Optic Modulators出 版 物：《真空电子技术》 (Vacuum Electronics)
年 卷 期：1971年第1期
页 面：50-55页
主 题：电光晶体 波板 偏振器 电光系数 电光调制器 波长范围 光束 粒子束 电光效应 光学效应 GaAs
摘 要：利用高电阻率GaAs的大单晶制得了0.9～16微米红外区实用电光调制器。这种调制器能够工作在d-c～数百兆赫上,用来传播红外光束的电视信号。在d-c～1.7千兆赫频率上测量了0.9～16微米波长的GaAs电光系数。在千兆赫频率上存在的电光效应及其低值损耗正切表明,千兆赫带宽微波调制可用GaAs获得。已测得的微波解电常数几乎等于红外折射率的平方,这表明红外和微波光束的相位匹配是能够用简单的TEM传输线获得的。
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