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用于多层超大规模集成电路的聚酰亚胺

作     者:Gay Samuelson ,张菊华 

出 版 物:《电子元件与材料》 (Electronic Components and Materials)

年 卷 期:1986年第5期

页      面:54-58+72页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 081704[工学-应用化学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 070305[理学-高分子化学与物理] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0703[理学-化学] 

主  题:聚酞亚胺 导电率 层间绝缘 超大规模集成电路 超大规模集成 等离子体蚀刻 等离子刻蚀 电荷 

摘      要:无论采用MOS技术或双极型技术要实现高密度布线或超大规模集成电路布线,必须由金属层和绝缘层相间组成多层结构。在多层结构中,层间绝缘的作用有三:(1)它必须保证在其下层的金属化图形上形成等平面,而通路孔必须使两金属层连接良好,以

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