亚毫微秒母片法LSI
出 版 物：《计算机研究与发展》 (Journal of Computer Research and Development)
年 卷 期：1979年第8期
页 面：1-4页
主 题：LSI 晶体管 双极型 亚毫微秒 布线 半导体三极管 发射极跟随器 母片 基区
摘 要：为了实现双极型逻辑LSI的高速化、大容量化,有必要综合提高以下所述工艺、器件、电路等各方面的技术。缩小元件尺寸,减少隔离所占面积,对于谋求更大的集成度是非常重要的。现在双极型LSI一般是采用pn结隔离技术,但是近几年来,研究颇有成绩的氧化物隔离单块电路(Oxim)、集电极扩散隔离、等平面隔离等等新的隔离技术在改进这样的问题上是非常有效的。可以认为如果再用上自对准技术和精细加工技术等等,双极型ISI的大容量化是相当有希望的。
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