碲镉汞光电导探测器的探测度与其厚度的关系
作者机构：华北光电所
出 版 物：《激光与红外》 (Laser & Infrared)
年 卷 期：1981年第5期
页 面：25-29页
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
摘 要：本文主要叙述利用碲溶剂法生长的Hg0.805Cd0.195Te晶体材料制备成8～14微米的光电导探测器样品。通过适当的表面处理并逐渐减薄厚度,得到探测器的探测度Dλ＊和器件厚度d的依赖关系。其实验结果与理论计算是比较吻合的。在我们的实验里,探测器的探测度对应的最佳厚度在15微米至24微米之间,不同样品的最佳厚度所对应的探测度是不一样的。通过这一试验,我们获得了高性能的光电导探测器样品,Dλ＊=3～5×1010厘米·赫1/2瓦-1,响应率（?） λ103伏·瓦-1。
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