栅网结构多沟道场效应晶体管
出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)
年 卷 期：1973年第11期
页 面：1-18页
主 题：沟道 场效应晶体管 单极晶体管 场效应器件 夹断电压 栅网
摘 要：一、前言栅网结构多沟道场效应晶体管（多沟道面结型——栅场效应器件）这是一种新型场效应晶体管,它是从另一种场效应管——Tecnetron（场控管）发展过来的。早在1930年李林费尔德和奥斯卡·黑尔等人就提出过用场效应原理来制作器件的设想。1948年肖克莱和皮尔逊等人用锗进行了实验,1952年肖克莱提出了结型场效应晶体管的理论。1955年达西和罗斯等人考虑到载流子迁移率随电场 E;而变化的规律,从而修正了肖克莱的理论,并对器件样品进行分析,他的结论是:平面结构场效应器件
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