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衔接元件磁泡存贮器可使存贮容量增大十倍

作     者：Yeong S.Lin ,Ian L.Sanders ,谢蔚文 

出 版 物：《系统工程与电子技术》 (Systems Engineering and Electronics)

年 卷 期：1982年第8期

页      面：49-54页

主　　题：磁泡 磁壁 存贮器 人字形 存储器 坡莫合金 自对准 

摘      要：新一代的衔接元件磁泡器件能够存贮的信息比坡莫合金人字形磁泡器件大约多十倍,并且还可以用标准光刻技术进行制作。研制中的器件具有4兆位/厘米2的存贮密度。人字形磁泡存贮器目前只能提供大约1兆位/厘米2的密度,而可以达到的密度约为1.5兆位/厘米2,但是,这会超过光刻技术的能力。然而,用现行衔接盘器件加工法,看来可以达到16兆位/厘米2的密度。

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