托卡马克中等离子体频率附近的增强辐射现象

作     者：吴京生 夏蒙棼 周如玲 康寿万 蔡诗东 WU C. S. (IPST, University Of Maryland, College Park, Maryland, U. S. A.)ZHOU RU-LING KANG SHOU-WAN XIA MENG-FEN CAI SHI-DONG(Department of Physics, Peking University) (Institute of Physics, Academia Sinica)

作者机构：美国马里兰大学 北京大学物理系 中国科学院物理研究所 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：1980年第1期

页      面：46-53页

学科分类：07[理学] 070204[理学-等离子体物理] 0702[理学-物理学] 

主　　题：增强辐射 逃逸电子 等离子体频率 Langmuir频率 托卡马克 

摘      要：实验提出托卡马克中的等离子体频率附近的增强辐射现象与高能逃逸电子有关,但是辐射的机制尚未完全弄清。本文讨论了两种可能的机制。一种是诱发辐射,这是来自逃逸电子与波的反常迴旋共振。另一种是自发辐射,主要来自契仑柯夫共振。前者要求逃逸电子的能量比后者为大,因此,自发辐射理论更引人注意。在很宽的参数变化范围内对辐射率作了数值计算。对于等离子体频率大于迴旋频率的情况也作了讨论。