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薄膜隧道结的漏洞分析和金相筛选法

作     者:孟小凡 郭维新 崔广霁 

作者机构:北京大学物理系 

出 版 物:《低温物理学报》 (Low Temperature Physical Letters)

年 卷 期:1979年第1期

页      面:9-17页

主  题:隧道结 半导体结 超导微桥 漏洞分析 筛选法 

摘      要:本文用典型隧道结与超导微桥叠加的模型讨论了漏洞对薄膜隧道结I-V曲线的影响,分析了漏洞产生的原因及其防止措施,提出了可以显著提高低温实验时隧道结成品率的简便方法——金相筛选法.

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