In1—xGaxAs（x～0.47）纯度液相外延
作者机构：中国科学院半导体所一室 中国科学院半导体所一室
出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)
年 卷 期：1985年第3期
页 面：143-147页
主 题：外延片 迁移率 载流子密度 载流子浓度 x)Ga_xAs In GaAs 液相外延 Ga
摘 要：探讨了利用In在真空中予焙烧、生长溶液在乾H2中焙烧技术以及利用逐次降低生长起始温度的液相外延（LPE）技术生长高纯度的In1-XGaXAs（x～0.47）外延片的方法.比较好的电学结果如下:载流子浓度比没经任何焙烧处理低2.5—3个数量级,最好结果为5×1015/cm3,相应的室温迁移率为8500cm2/V·S。
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