氮杂硅三环类化合物的质谱研究

作     者：方一苇 胡淑蔚 吴观丽 徐梦山 FANG YI-WEI HU SHU-WEI WU GUAN-LI XU MENG-SHAN (Institute of Chemistry, Academia Sinica, Beijing)

作者机构：中国科学院化学研究所 北京化工学院 中国科学院化学研究所 北京 

出 版 物：《化学学报》 (Acta Chimica Sinica)

年 卷 期：1983年第41卷第7期

页      面：630-636页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 070303[理学-有机化学] 0703[理学-化学] 

主　　题：碎片离子 三环 分子离子 氮杂 电子轰击质谱 基峰 相对丰度 质谱研究 

摘      要：本文对二十四个氮杂硅三环类化合物进行了质谱研究.测定了它们的低分辨质谱,收集了大部分化合物的高分辨质谱数据并进行了亚稳跃迁测定。结果表明,分子离子的稳定性、基峰的生成方式以及碎片离子的多少主要取决于取代基R的性质.分子的电子轰击质谱裂解存在三种基本方式:（1）断裂Si～R键,生成高度稳定的（M-R）+离子,碎片离子较少;（2）开环,失去碎片C2H3O;（3）开环,失去碎片CH2O或CH3O.用电荷自由基定域理论解释这类化合物的质谱裂解机理,并对影响分子离子稳定性的有关因素及影响基峰形成的原因进行了讨论.