超导Nb-Ge溅射膜的俄歇电子能谱及电子能谱化学分析

作     者：郭元恒 陈岚峰 GUO YUAN-HENG(Department of Physics, Peking University)CHEN LAN-FENG(General Research Institute for Non-Ferrous Metals, Beijing)

作者机构：北京大学物理系 北京有色金属研究总院 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：1988年第7期

页      面：1096-1102页

学科分类：1002[医学-临床医学] 100214[医学-肿瘤学] 10[医学] 

主　　题：Nb-Ge 溅射法 俄歇电子 化学位移 深度剖面 表面分析仪器 表面层 生长机制 外延生长 转变温度 

摘      要：利用表面分析仪器俄歇电子能谱（AES）仪和电子能谱化学分析（ESCA）仪对超导Nb-Ge溅射膜进行表面和深度剖面分析,以探讨在溅射沉积成膜过程中A15结构Nb3Ge能够稳定生长的机制,以及影响其转变温度Tc的因素。 分析结果表明,超导Nb-Ge膜中含有O,C和Al等杂质,其中O的含量对Tc有重要影响。表面上未发现有聚集的Ge。Nb/Ge密度比由表面层的3.1向内部逐渐降至2.26。X射线光电子能谱（XPS）的分析表明:Nb,Ge,C和O的谱峰沿深度均有不同程度的化学位移和峰形变化,这明这些元素的化学态在膜内是复杂的。但其中Nb的变化最小,可能对高Tc A15 Nb3Ge相的生长起稳定作用。