作 者:丛远见
作者机构:电子部11所
出 版 物:《传感器与微系统》 (Transducer and Microsystem Technologies)
年 卷 期:1987年第Z1期
页 面:25-26页
主 题:InSb 零偏阻抗 探测率 光伏
摘 要:用液相外延技术形成p-n结,即在p型InSb衬底上生长一层n;-InSb层。采用液相外延法制成的p-n结具有晶格完整、杂质分布均匀,结性能稳定等优点,因而适于制造高性能的多元光伏红外探测器。同时因为外延结是n;p结,所以用它制造的光伏器件可直接与n沟光伏CCD互联。