中性掺杂铝团簇在特殊源环境中的产生及其光电离质谱

作     者：翟华金 倪国权 周汝枋 王育竹 Zhai Huajin Ni Guoquan Zhou Rufang Wang Yuzhu (Laboratory for Quantum Optics, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800)

作者机构：中国科学院上海光机所量子光学开放研究实验室上海201800 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：1998年第25卷第8期

页      面：722-726页

核心收录：

学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金资助课题! (No.19574 0 59 No.196 340 30 ) 

主　　题：掺杂铝团簇 光电离质谱 激光蒸发 脉冲分子束 

摘      要：报道集 Aln(n =7～ 14) ,Aln Cm(m =1,2 ) ,Aln(H2 O) m(m =1,2 )和 Aln Om(m =1,2 ,… ,7)诸系列于一谱的中性铝团簇和中性掺杂铝团簇光电离质谱 ,研究了各掺杂系列的尺寸特性及其随杂质组份相对含量的演变。