高性能Ag/La_(0.7)Mg_(0.3)MnO_3/p^+-Si阻变器件的研究

作     者：闫帅帅 王华 许积文 杨玲 陈齐松 YAN Shuai-shuai;WANG Hua;XU Ji-wen;YANG Ling;CHEN Qi-song

作者机构：桂林电子科技大学材料科学与工程学院桂林541004 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2015年第44卷第12期

页      面：3493-3497页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 081201[工学-计算机系统结构] 0702[理学-物理学] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金(51262003) 

主　　题：阻变 La0.7Mg0.3MnO3 溶胶-凝胶 异质结 

摘      要：采用溶胶-凝胶工艺在p型单晶硅衬底上制备了La_(0.7)Mg_(0.3)MnO_3薄膜,对薄膜的微观结构及Ag/La_(0.7)Mg_(0.3)MnO_3/p+-Si器件的电致阻变性能进行了研究。结果表明:La_(0.7)Mg_(0.3)MnO_3薄膜在经过700℃退火2 h后为单一的钙钛矿结构,沿(112)晶向择优生长,薄膜致密平整;Ag/La_(0.7)Mg_(0.3)MnO_3/p+-Si阻变器件具有典型的双极型阻变特性,具有非常高的电阻开关比,其高阻态(HRS)与低阻态(LRS)的比值高于105,以及较佳的耐疲劳性能,器件在1000次循环后高、低阻态比值没有明显变化;器件在高阻态(HRS)时的导电机制为Schotty势垒发射效应,低阻态(LRS)导电机制为导电细丝机制。