Cu-Zr/ZrN薄膜体系的电阻率和纳米压入研究
Characterization of the Resistivity and Nanoindentation Hardness of Cu-Zr/ZrN Films作者机构：西安交通大学金属材料强度国家重点实验室陕西西安710049
出 版 物：《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)
年 卷 期：2005年第34卷第2期
页 面：259-262页
核心收录：
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
摘 要：采用磁控溅射方法在 Si(111)基片上沉积 Cu-Zr/ZrN 薄膜体系作为扩散阻挡层。通过比较 Cu-Zr/ZrN 薄膜体系和三元非晶(Mo,Ta,W)-Si-N 的电阻率,同时比较 Cu-Zr/ZrN 薄膜体系和 Ta,TaN 的硬度,说明作为扩散阻挡层的材料的选取,应从整体性能上考虑,而不能仅仅考虑热稳定性等单一指标。
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