利用CsN_3n型掺杂电子传输层改善OLED器件性能的研究

作     者：于瑶瑶 陈星明 金玉 吴志军 陈燕 YU Yao-yao;CHEN Xing-ming;JIN Yu;WU Zhi-jun;CHEN Yan

作者机构：华侨大学信息科学与工程学院福建厦门361021 厦门市移动多媒体通信重点实验室福建厦门361021 

出 版 物：《液晶与显示》 (Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays)

年 卷 期：2016年第31卷第8期

页      面：773-777页

学科分类：0810[工学-信息与通信工程] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0804[工学-仪器科学与技术] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.61404053)~~ 

主　　题：CsN3 n型掺杂 有机电致发光器件 电流效率 

摘      要：为了能够有效地提高电子的注入和传输能力,改善有机电致发光器件的性能,本文利用CsN_3作为n型掺杂剂,对有机电子传输材料Bphen进行n型电学掺杂,制备了结构为ITO/MoO_3(2nm)/NPB(50nm)/Alq_3(30nm)/Bphen(15nm)/Bphen∶CsN_3(15nm,x%,x=10,15,20)/Al(100nm)的器件。实验结果表明,CsN_3是一种有效的n型掺杂剂,以掺杂层Bphen∶CsN_3作为电子传输层,可以有效地降低电子的注入势垒,改善器件的电子注入和传输能力,从而降低器件的开启电压,同时提高了器件的亮度和发光效率。在掺杂浓度为10%时器件的性能最优,开启电压仅为2.3V,在7.2V的驱动电压下,达到最大亮度29 060cd/m^2,是非掺杂器件的2.5倍以上。当驱动电压为6.6V时,达到最大电流效率3.27cd/A。而当掺杂浓度进一步提高时,由于Cs扩散严重,发光区形成淬灭中心,造成器件的效率下降。