生长条件对AlGaN/GaN HEMT势垒层表面形貌及二维电子气迁移率的影响(英文)

作     者：张恒 曲爽 王成新 胡小波 徐现刚 

作者机构：山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100 山东浪潮华光光电子股份有限公司济南250100 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2015年第44卷第12期

页      面：3799-3803页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：Natural Science Foundation of China under Grant(11134006) Shandong University Natural Science Special(2014QY005) 863 Program(2015AA033302) 

主　　题：氮化镓 表面形貌 二维电子气 迁移率 

摘      要：使用金属有机化学气相沉积法生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。研究了生长压力和载气组分对AlGaN势垒层及AlGaN高电子迁移率晶体管二维电子气迁移率的影响。原子力显微镜(AFM)光谱和SEM-EDS用于表征外延层的质量。结果表明随着反应室压力从50torr提高到200torr,AlGaN势垒层的表面形貌先变好,随后开始变差。在反应室压力100torr情况下得到最好的表面形貌。同时发现在生长AlGaN势垒层时,同时适当的氢气会提高AlGaN层的质量。在反应室压力100torr、氢气组分59%时得到AlGaN HEMT的最大二维电子气迁移率为1545 cm2/V·s。